半導體雜志
半導體雜志基礎信息:
本刊以馬列主義、毛澤東思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想為指導,全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”,理論聯系實際,開展教育科學研究和學科基礎理論研究,交流科技成果,促進學院教學、科研工作的發展,為教育改革和社會主義現代化建設做出貢獻。曾用刊名:天津半導體技術。
半導體雜志訂閱方式:
ISSN:1005-3077,CN:12-1134/TN,地址:天津市河西區陳塘莊巖峰路,郵編:300192。
半導體雜志社相關期刊- 半導體·光伏行業雜志半導體信息雜志半導體學報半導體光電雜志半導體技術雜志半導體雜志社投稿信息1.文章標題:一般不超過300個漢字以內,必要時可以加副標題,最好并譯成英文。
2.作者姓名、工作單位:題目下面均應寫作者姓名,姓名下面寫單位名稱(一、二級單位)、所在城市(不是省會的城市前必須加省名)、郵編,不同單位的多位作者應以序號分別列出上述信息。
3.提要:用第三人稱寫法,不以“本文”、“作者”等作主語,100-200字為宜。
4.關鍵詞:3-5個,以分號相隔。
5.正文標題:內容應簡潔、明了,層次不宜過多,層次序號為一、(一)、1、(1),層次少時可依次選序號。
6.正文文字:一般不超過1萬字,用A4紙打印,正文用5號宋體。
7.數字用法:執行GB/T15835-1995《出版物上數字用法的規定》,凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數與計量等均采用阿拉伯數字;夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數字作為語素構成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數字并列連用的概略語等用漢字數字。
8.圖表:文中盡量少用圖表,必須使用時,應簡潔、明了,少占篇幅,圖表均采用黑色線條,分別用阿拉伯數字順序編號,應有簡明表題(表上)、圖題(圖下),表中數字應注明資料來源。
9.注釋:是對文章某一特定內容的解釋或說明,其序號為①②③……,注釋文字與標點應與正文一致,注釋置于文尾,參考文獻之前。
10.參考文獻:是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明,文中用序號標出,詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型:普通圖書[M],會議論文[C],報紙文章[N],期刊文章[J],學位論文[D],報告[R],標準[S],專利〔P〕,匯編[G],檔案[B],古籍[O],參考工具[K]。
11.基金資助:獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號,按項目證明文字材料標示清楚.
12.作者簡介:第一作者姓名(出生年月-),性別,民族(漢族可省略),籍貫,現供職單位全稱及職稱、學位,研究方向。
13.其他:請勿一稿兩投,并請自留原稿,本刊概不退稿,投寄稿件后,等待審查。審查通過編輯部會通知您一般雜志社審核時間是1-3個月:如果要是到我中心給你論文發表請詳細看。
半導體雜志社編輯部征稿具有電流檢測功能的IGBTsense研究摻鍺CZSi中光致發光譜的研究貝爾實驗室開發出0.08微米技術臺灣成功開發出0.25微米技術智能化壓力傳感器的研制開管鋁鎵擴散的摻雜機制1400MHz硅雙極低功耗÷8ECL靜態分頻器我國IC工業與國外的差距及趕超MOS集成電路生產過程中防靜電的討論半導體超晶格物理與器件(終篇)不同有機襯底上沉積的ZnO∶Al透明導電膜的研究±5V高頻四象限CMOS模擬乘法器SOI光波導傳輸機理及其損耗的研究硅單晶及襯底的熱處理特性利用計算機來求壓力傳感器的補償電阻電力電子器件發展概況及應用現狀高速發展的化學機械拋光技術今年與明年的世界半導體設備市場半導體量子點的自組織生長及其應用離子注入在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的應用本文html鏈接: http://m.jsdzr.cn/qkh/gzqk_16951.html