核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志基礎(chǔ)信息：

《核電子學(xué)與探測技術(shù)》雜志為專業(yè)學(xué)術(shù)性刊物。刊登核儀器、核電子學(xué)、核探測器與測試技術(shù)方面的研究成果和論文。讀者對象為核電子學(xué)、核探測技術(shù)方面的研究人員及大專院校師生。

核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志期刊榮譽：

《核電子學(xué)與探測技術(shù)》雜志中國中文核心期刊、中國科協(xié)三等獎、中國核工業(yè)部二等獎、核電子學(xué)與探測技術(shù)；并為CA化學(xué)文摘(美)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻速報(日)(2009)、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)數(shù)據(jù)庫收錄。

核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志欄目設(shè)置：

本刊主要欄目：綜述、研究簡報、科技消息。

核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志訂閱方式：

ISSN：0258-0934，CN：11-2016/TL，地址：北京市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)宏達南路3號，郵政編碼：100176。

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核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志社投稿信息

1．文章標題：一般不超過300個漢字以內(nèi)，必要時可以加副標題，最好并譯成英文。

2．作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級單位）、所在城市（不是省會的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號分別列出上述信息。

3．提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，100－200字為宜。

4．關(guān)鍵詞：3－5個，以分號相隔。

5．正文標題：內(nèi)容應(yīng)簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。

6．正文文字：一般不超過1萬字，用A4紙打印，正文用5號宋體。

7．數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835－1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數(shù)與計量等均采用阿拉伯數(shù)字；夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字數(shù)字。

8．圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時，應(yīng)簡潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯數(shù)字順序編號，應(yīng)有簡明表題（表上）、圖題（圖下），表中數(shù)字應(yīng)注明資料來源。

9．注釋：是對文章某一特定內(nèi)容的解釋或說明，其序號為①②③……，注釋文字與標點應(yīng)與正文一致，注釋置于文尾，參考文獻之前。

10．參考文獻：是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號標出，詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型：普通圖書[M]，會議論文[C]，報紙文章[N]，期刊文章[J]，學(xué)位論文[D]，報告[R]，標準[S]，專利〔P〕，匯編[G]，檔案[B]，古籍[O]，參考工具[K]。

11．基金資助：獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號，按項目證明文字材料標示清楚.

12．作者簡介：第一作者姓名（出生年月-），性別，民族（漢族可省略），籍貫，現(xiàn)供職單位全稱及職稱、學(xué)位，研究方向。

13．其他：請勿一稿兩投，并請自留原稿，本刊概不退稿，投寄稿件后,等待審查。審查通過編輯部會通知您一般雜志社審核時間是1-3個月：如果要是到我中心給你論文發(fā)表請詳細看。

核電子學(xué)與探測技術(shù)雜志社編輯部征稿多路小信號處理與QDC門信號產(chǎn)生邏輯插件的研究NSRL電子儲存環(huán)新RFKO系統(tǒng)選頻光釋光——特征波長光釋光測定年齡的技術(shù)不同粒子在硅中能量沉積的計算及比較10～150keVX射線碘化汞探測器陣列研制用于激光等離子體診斷的濾波-差分硬X光譜儀電子中微子(_e)在核爆炸探測中的應(yīng)用多道脈沖分析系統(tǒng)的狀態(tài)機設(shè)計先進調(diào)度技術(shù)在集裝箱檢查系統(tǒng)中的應(yīng)用面向?qū)ο蠓抡婕夹g(shù)在大型集裝箱檢查系統(tǒng)R&D中的應(yīng)用X射線在重金屬-硅界面的劑量增強系數(shù)的計算用于脈沖中子測井儀的變道寬多定標器系統(tǒng)重子數(shù)實驗的數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)工業(yè)CT圖像的二維幾何測量方法研究0.35μm部分耗盡SOINMOSFET的總劑量輻射效應(yīng)與偏置狀態(tài)的關(guān)系基于無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)谋銛y式熱電偶測溫系統(tǒng)的研究基于可編程圖形處理器的可視化技術(shù)在中子學(xué)分析中的應(yīng)用研究一種脈寬可調(diào)的高壓脈沖發(fā)生器的研究與設(shè)計基于虛擬儀器下的溫度測量同步加速器高頻系統(tǒng)前端控制器改進設(shè)計北京清水河流域現(xiàn)代稀性泥石流表層物質(zhì)熱釋光本底初步研究時間分辨型ICCD成像系統(tǒng)研制