半導體光電雜志基礎信息：

《半導體光電》雜志是專業(yè)技術性刊物。刊載半導體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術，以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學術論文、學位論文和工作報告，介紹光學、光子學、量子電子學、光電子學領域的新材料、新結構、新工藝、新器件，報道國內外該領域的研究和發(fā)展方向。讀者對象為半導體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

半導體光電雜志欄目設置：

本刊主要欄目：動態(tài)綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光通信、光電技術應用。

半導體光電雜志訂閱方式：

ISSN：1001-5868，CN：50-1092/TN，地址：重慶市南坪花園路14號44所內，郵政編碼：400060。

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1.來稿要求論點明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者（一般為導師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結果、結論4方面內容（100字左右），應具有獨立性與自含性，關鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。

3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

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7.來稿文責自負。所有作者應對稿件內容和署名無異議，稿件內容不得抄襲或重復發(fā)表。對來稿有權作技術性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿，本部不退稿。

9.論文一經(jīng)發(fā)表，贈送當期樣刊1-2冊，需快遞的聯(lián)系本部。

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