人工晶體學(xué)報基礎(chǔ)信息：

《人工晶體學(xué)報》報道我國在半導(dǎo)體材料、光電子材料、納米材料、薄膜材料和超硬材料等領(lǐng)域在理論研究、生長技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的科研成果，同時介紹國內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動。學(xué)報是我國從事人工晶體研究人員與國外同行交流的一個重要窗口。曾用刊名：人工晶體。

人工晶體學(xué)報期刊榮譽：

《人工晶體學(xué)報》獲獎情況：1997年獲全國第二屆優(yōu)秀科技期刊獎、1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎、1989年獲優(yōu)秀期刊獎；該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄：CA化學(xué)文摘(美)(2009)、SA科學(xué)文摘(英)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(日)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)。

人工晶體學(xué)報欄目設(shè)置：

《人工晶體學(xué)報》主要欄目：學(xué)術(shù)論文、簡報。

人工晶體學(xué)報訂閱方式：

ISSN：1000-985X，CN：11-2637/O7，地址：北京朝陽區(qū)紅松園1號中材人工晶體研究院，北京733信箱，郵政編碼：100018。

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人工晶體學(xué)報社投稿信息

1.文章標(biāo)題：一般不超過20個漢字，必要時加副標(biāo)題，并譯成英文。

2.作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級單位）、所在城市（不是省會的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號分別列出上述信息。

3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，應(yīng)是一篇能客觀反映文章核心觀點和創(chuàng)新觀點的表意明確、實在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100－200字為宜。

4.關(guān)鍵詞：3－5個，以分號相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關(guān)的具有獨立性的實在詞。

5.正文標(biāo)題：內(nèi)容應(yīng)簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。

6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號宋體，通欄排版。

7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835－1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀(jì)年、年代、年、月、日、時刻、各種記數(shù)與計量等均采用阿拉伯?dāng)?shù)字；夏歷、清代及其以前紀(jì)年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字?jǐn)?shù)字。

8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時，應(yīng)簡潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯?dāng)?shù)字順序編號，應(yīng)有簡明表題（表上）、圖題（圖下），表中數(shù)據(jù)應(yīng)注明資料來源。

9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻(xiàn)之前。釋義性注釋是對論著正文中某一特定內(nèi)容的進(jìn)一步解釋或補(bǔ)充說明；引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻(xiàn)的引文和個別文后參考文獻(xiàn)的節(jié)略形式，其序號為①②③……。

10.參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)是作者撰寫論著時所引用的已公開發(fā)表的文獻(xiàn)書目，是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號標(biāo)出，詳細(xì)引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標(biāo)識以下各種參考文獻(xiàn)類型：普通圖書[Ｍ]，會議論文[Ｃ]，報紙文章[Ｎ]，期刊文章[Ｊ]，學(xué)位論文[Ｄ]，報告[Ｒ]，標(biāo)準(zhǔn)[Ｓ]，專利〔Ｐ〕，匯編[Ｇ]，檔案[Ｂ]，古籍[Ｏ]，參考工具[Ｋ]，其他未說明文獻(xiàn)〔Z〕。格式與示例如下：

（1）圖書類格式：[序號]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名:其他題名信息(任選)[文獻(xiàn)類型標(biāo)識].其他責(zé)任者(任選).出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

（2）期刊文章格式：[序號]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[J].刊名(建議外文刊名后加ISSN號),年,卷(期):起止頁碼.

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人工晶體學(xué)報社編輯部征稿Na_3La_2(BO_3)_3晶體生長及光譜特性剪切應(yīng)變量對Al-3%Mg多晶材料性能的影響一種潛在的新型非線性光學(xué)材料—氟硼酸鈹用第一性原理研究Fe16N2的磁學(xué)性能無序化對有序鐵鋁金屬間化合物磁性的影響反應(yīng)溫度和升溫速度對氧化鋯相轉(zhuǎn)變的影響以六次甲基四胺為沉淀劑制備納米ZrO_2的研究CdS薄膜中“白斑”的研究DKDP晶體快速生長的研究鈮酸鋰晶體電擊穿特性的研究六方柱與六角片狀CdS晶體的水熱法生長ADP晶體(100)面相變界面的微觀結(jié)構(gòu)金剛石/金屬觸媒界面表征及金剛石生長的熱力學(xué)分析化學(xué)溶液分解法制備Bi0.8Ce0.22Ti2O7薄膜及性能研究超聲噴霧熱解法制備鋁摻雜氧化鋅薄膜靜電自組裝制備鑭摻雜高嶺石基納米TiO_2光催化材料研究多元素協(xié)同摻雜對氫氧化鎳正極高溫性能的影響金剛石微銑刀頭圖形化法的制備研究沉積溫度對BiFeO_3薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響銀納米顆粒結(jié)晶形態(tài)形成機(jī)理研究固態(tài)源分子束外延法生長InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱力學(xué)分析(英文)靶與襯底之間的距離對ZnO∶Zr透明導(dǎo)電薄膜性能的影響